ЭС: Р.Б.Васильев
ВАСИЛЬЕВ РОМАН БОРИСОВИЧ (р. 03.12.1973), химик-неорганик.
Окончил химический факультет МГУ (1995). Ученик А.М. Гаськова. Кандидат химических наук (2001, «Тонкие плёнки и гетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых сенсоров»). Доктор химических наук (2021, «Физико-химические основы формирования полупроводниковых наноструктур соединений АIIВVI с заданными оптическими свойствами в коллоидных системах»).
Профессор кафедры наноматериалов факультета наук о материалах (2023–н.вр.). Профессор кафедры неорганической химии (2024–2025), заведующий лабораторией химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов химического факультета.
Научная и педагогическая деятельность. В сфере научных интересов химия твёрдого тела, химия неорганических и гибридных функциональных наноматериалов.
Открыл новый класс 2D атомарно-тонких полупроводников группы AIIBVI с толщиной менее 1 нм с заданными структурой, составом и рекордно узкими экситонными полосами; разработал подходы к созданию хиральных 2D атомарно-тонких полупроводников AIIBVI, демонстрирующих зеркальную асимметрию в экситонной системе за счёт молекулярной индукции хиральности и установил закономерности и взаимосвязи состава, структуры и электронных свойств с особенностями их взаимодействия с поляризованными фотонами; обнаружил новый эффект спонтанного сворачивания атомарно-тонких наноструктур AIIBVI, связанный c деформациями сжатия или растяжения на границе полупроводник/лиганд, вызванный рассогласованием величин доступного места на базальных плоскостях и размеров якорных групп лигандов, что демонстрирует прецизионный контроль поверхности. Предложил подходы для формирования когерентной гетерограницы при росте наноструктур типа полупроводник/полупроводник на основе AIIBVI в коллоидных системах с заданной кристаллографической ориентацией доменов внутри наноструктуры.