ЭС: В.Н.Манцевич
Окончил физический факультет МГУ (2007). Кандидат физико-математических наук (2010, «Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний»). Доктор физико-математических наук (2014, «Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием»). Доцент (2024).
Профессор кафедры физики полупроводников и криоэлектроники физического факультета. Работает в МГУ с 2010 г.
Научная и педагогическая деятельность. В сфере научных интересов теория твёрдого тела, физика полупроводниковых наноструктур, спиновые и кинетические явления в них.
Разработал теорию нестационарного электронного транспорта в полупроводниковых наноструктурах с сильными межчастичными корреляциями; теорию динамической спиновой инжекции в гибридных полупроводниковых наноструктурах.; теорию индуцированной током спиновой поляризации в квантовых точках, продемонстрировав возможность усиления спиновой поляризации за счёт эффекта Кондо; теорию диффузии экситонов в системах с беспорядком, теорию гидродинамического режима транспорта экситонов в структурах экстремальной двумерности; предсказал спиновый эффект Нернста в полупроводниках. Решил вопрос об устойчивости перепутанных состояний к внешнему возмущению в полупроводниковых наноструктурах.
Литература: В.Н.Манцевич. Физический факультет МГУ.